SK하이닉스 - 동사 투자 발표에 대한 시장의 오해.

SK하이닉스 - 동사 투자 발표에 대한 시장의 오해(하이투자증권)

■ 업계 DRAM CAPEX의 대폭 확대는 없을 것임

동사 주가는 46조원에 달하는 대규모 투자 계획이 발표된 17일 이후 급락 중이다. 물론 동사 주가의 급락이 전체 시장의 하락에도 영향을 받은 것은 틀림없으나 17일부터 외국인들의 대량 매도가 발생 중인 점을 감안하면 이번 발표가 동사 주가 하락에 어느 정도 악영향을 준 것으로 보인다. 일부 외국인 투자가들은 최근 애널리스트 데이 행사에서 Micron이 FY16의 CAPEX를 53억~56억 달러로 FY15의 36억~40억 달러에서 크게 증가시킨 것과 함께 SK하이닉스의 46조원 투자 발표를 Memory 반도체 업계 내 치킨 게임이 재개된 것으로 해석하고 있는 것으로 보인다. 

그러나 Micron의 FY16 CAPEX 증가는 3D NAND, TLC NAND를 비롯한 Non-Volatile Memory에집중되고 현재 업황이 부진한 DRAM 부문의 CAPEX는 오히려 FY15 대비 감소할 전망이다. 또한 SK그룹이 발표한 46조원의 CAPEX는 구체적인 투입 기간과 내용이 언급되지 않은 선언적 의미가 강하며 당장 동사 DRAM CAPEX가 증가하는 것은 아니다. 당사는 46조원의 CAPEX가 10년 가량의 장기간에 걸쳐 사용될 것으로 전망하며 내년 동사 CAPEX는 올해와 달리 NAND 비중이 DRAM보다 높고 DRAM CAPEX는 올해 대비 오히려 축소될 가능성이 높은 것으로 판단하고 있다. 따라서 최근 동사 주가의 급락은 시장 일부의 오해에 의한 과도한 하락인 것으로 보인다.

■ Micron의 FY16 CAPEX 증가는 Non-Volatile Memory에 대한 것임

Micron이 발표한 FY16 CAPEX 증가는 3D NAND 등 DRAM이 아닌 Non-Volatile Memory에 집중되어 있다. 동사의 계획에 따르면 FY16 CAPEX의 40~50% (21억~28억 달러)가 Non-Volatile Memory에 사용되고 현재 업황이 부진한 DRAM에는 25~35% (13억~20억 달러) 만이투자된다. 이러한 FY16 DRAM CAPEX는 FY15 대비 유사하거나 오히려 소폭 축소되는 것으로 판단된다. Micron의 CAPEX 증가가 NAND 부문에 집중되는 것은 내년부터 시장이 크게 확대될 3D NAND로 현재 2D NAND 설비를 전환하는데 기존 미세공정 전환 대비 2.5배 이상의 투자액

이 필요하기 때문이다. 따라서 Micron의 FY16 CAPEX 증가가 향후 DRAM 업황의 추가 악화를 의미하는 것은 아니다.

■ SK하이닉스의 내년 CAPEX 역시 NAND 위주로 사용될 전망

SK하이닉스는 올해 약 6조원의 CAPEX를 사용할 전망인데 이중 80% 이상이 14라인 건설 및 장비 구입, 21나노 전환 등을 위해 DRAM 부문에 투자되고 NAND 부문에는 20% 이하 만이 사용될 것으로 보인다. 반면 내년에는 3D NAND 전환에 상당한 금액이 사용되면서 DRAM 보다 오히려 NAND 부문에 더 큰 규모의 CAPEX가 사용될 전망이다. 내년 DRAM 부문에서는 14라인 잔여 투자와 미세공정 전환 비용 만이 투입될 것이기 때문이다. 따라서 내년 동사 DRAM CAPEX가 올해 대비 증가할 가능성은 높지 않다. 또한 SK그룹이 지난 17일 발표한 46조원의 반도체 투자

계획은 선언적 의미일 뿐이며 당장 SK하이닉스의 CAPEX가 크게 증가하는 것은 아닌 것으로 판단된다. 10년간의 기간 동안 46조원의 CAPEX가 사용된다고 가정할 경우 매년 4.6조원이 투자된다는 것인데 지난해와 올해의 CAPEX가 4.8조원, 6조원임을 감안하면 예년 수준의 투자가 이어진다는 의미이기 때문이다.